sdram的含义（关于计算机英语各英文缩写的中文意思）

本文目录

• 关于计算机英语各英文缩写的中文意思
• 内存的存储方式是DDR SDRAM，什么意思
• 内存类型DDR3 SDRAM什么意思
• 电脑的内存有几种
• 什么是DDR和SDRAM以及它们的含义

关于计算机英语各英文缩写的中文意思

RAM：Random Access Memory，随机存储器，即人们常说的“内存”。
ROM：Read－Only Memory，只读存储器。
EDO：Extended Data Output，扩充数据输出。当CPU的处理速度不断提高时，也相应地要求不断提高DRAM传送数据速度，一般来说，FPM(Fast Page Model)DRAM传送数据速度在60－70ns，而EDO DRAM比FPM快3倍，达20ns。目前最快的是SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态存储器)，其存取速度高达10ns。
SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，又称同步DRAM，为新一代动态存储器。它可以与CPU总线使用同一个时钟，因此，SDRAM存储器较EDO存储器能使计算机的性能大大提高。
Cache：英文含义为“(勘探人员等贮藏粮食、器材等的)地窖；藏物处”。电脑中为高速缓冲存储器，是位于CPU和主存储器DRAM(Dynamic Randon Access Memory)之间，规模较小，但速度很高的存储器，通常由SRAM(Static Random Access Memory静态存储器)组成。
CMOS：是Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写，含义为互补金属氧化物半导体(指互补金属氧化物半导体存储器)。CMOS是目前绝大多数电脑中都使用的一种用电池供电的存储器(RAM)。它是确定系统的硬件配置，优化微机整体性能，进行系统维护的重要工具。它保存一些有关系统硬件设置等方面的信息，在关机以后，这些信息也继续存在(这一点与RAM完全不同)。开机时，电脑需要用这些信息来启动系统。如果不慎或发生意外而弄乱 了CMOS中保留的信息，电脑系统将不能正常启动。
PCI：Peripheral Component Interconnection，局部总线( 总线是计算机用于把信息从一个设备传送到另一个设备的高速通道)。PCI总线是目前较为先进的一种总线结构，其功能比其他总线有很大的提高，可支持突发读写操作，最高传输率可达132Mbps，是数据传输最快的总线之一，可同时支持多组外围设备。PCI不受制于CPU处理器，并能兼容现有的各种总线，其主板插槽体积小，因此成本低，利于推广。
Seagate：美国希捷硬盘生产商。Seagate英文意思为“通往海洋的门户”，常指通海的运河等。
Quantum：英文含意为“定量，总量”。著名硬盘商标，美国昆腾硬盘生产商(Quantum Corporation)。
Maxtor：“水晶”，美国Maxtor硬盘公司。
LD：Laser Disk，镭射光盘，又称激光视盘。
CD：Compact Disc，压缩光盘，又称激光唱盘。
CD－ROM：Compact Disc－Read Only Memory，压缩光盘－只读记忆(存储)，又叫“只读光盘”。
VCD：Video Compact Disc，视频压缩光盘，即人们通常所说的“小影碟”。
DVD：至今有许多人把DVD视为Digital Video Disc(数字视频光盘)的缩写，事实上，从1995年9月，索尼／飞利浦和东芝／时代华纳两大DVD开发集团达成DVD统一标准后，DVD的内涵有了很大的变化，它已成了数字通用光盘，即Digital Versatile Disc的英文缩写。Versatile“通用”的含义表明了DVD用途的多元化，它不仅可用于影视娱乐，还可用于多媒体计算机等领域。目前按其用途可分为5种类型：1计算机用只读光盘——DVD－ROM；2家用型影音光盘——DVD－Movie；3专供音乐欣赏的DVD Audio；4只写一次的光盘——DVD－R；5可读写多次的光盘——DVD－RAM。
Modem：调制解调器，家用电脑上Internet(国际互联网)网的必备工具，在一般英汉字典中是查不到Modem这个词的，它是调制器(MOdulator)与解调器(DEModulator)的缩写形式。Modem是实现计算机通信的一种必不可少的外部设备。因为计算机的数据是数字信号，欲将其通过传输线路(例如电话线)传送到远距离处的另一台计算机或其它终端(如电传打字机等)，必须将数字信号转换成适合于传输的模拟信号(调制信号)。在接收端又要将接收到的模拟信号恢复成原来的数字信号，这就需要利用调制解调器。
UPS：为Uninterruptible Power Supply(不间断电源)的英文缩写。它是伴随着计算机的诞生而出现的，是电脑的重要外围设备之一。UPS是一种含有储能装置，以逆变器为主要组成的恒压恒频的不间断电源，用以保护电脑在突然断电时不会丢失重要的数据。
TFT：有源矩阵彩色显示器，简称TFT显示器，专用于笔记本电脑。TFT显示器具有刷新速度快、色彩逼真、亮度鲜明等优点。此外，它还具有无闪烁、无辐射、无静电等“绿色电脑”所必需的特点。
DOS：Disk Operating System，磁盘操作系统。

内存的存储方式是DDR SDRAM，什么意思

DDR
是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。
SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步动态随机存储器。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压3.3V电压，存取速度高达7.5ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间。所以其传输速率比EDO DRAM更快。

内存类型DDR3 SDRAM什么意思

DDR3 SDRAM意思是SDRAM家族的三代内存规格。

DDR3 提供相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者。

DDR3采用点对点的拓扑架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

扩展资料

在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。   

在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。

电脑的内存有几种

目前常用内存条有3种型号：SDRAM的内存金手指（就是插入主板的金色接触部分）有两个防呆缺口，168针脚。DDR的内存金手指只有一个防呆缺口，而且稍微偏向一边，184
针脚。DDR2的内存金手指也只有一个防呆缺口，但是防呆缺口在中间，240针脚。
常有的内存主要分为：SDRAM，DDRSDRAM和DDR2SDRAM三种。
SDRAM的中文含义是“随机动态储存器”DDR中文含义是“双倍速率随机储存器”
传统的SDRAM内存的金手指部分有两个缺口，有168个接触点。
而DDRSDRAM内存的金手指有184个接触点
DDR2SDRAM内存的金手指有240个接触点

什么是DDR和SDRAM以及它们的含义

内存也是计算机系统里的重要配件，它的数量多少，质量好坏直接影响着整个系统的性能以及稳定性。今天，我就把关于内存的几个主要参数给大家介绍一下，希望在大家购买和使用内存的时候能够从中得到帮助。
内存也是计算机系统里的重要配件，它的数量多少，质量好坏直接影响着整个系统的性能以及稳定性。今天，我就把关于内存的几个主要参数给大家介绍一下，希望在大家购买和使用内存的时候能够从中得到帮助。
同步动态随机存储器（Synchronous DRAM，SDRAM）：是目前主推的PC 100和PC 133规范所广泛使用的内存类型，它的带宽为64位，3.3V电压，目前产品的最高速度可达5ns。它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，它的工作频率是与CPU的外频同步的，不存在延迟或等待时间。
双倍速率SDRAM（Dual Date Rate SDRSM，DDR SDRAM）：又简称DDR，由于它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以即使在133MHz的总线频率下的带宽也能达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，而是支持2.5V的SSTL2标准。它仍然可以沿用现有SDRAM的生产体系，制造成本比SDRAM略高一些，但仍要远小于Rambus的价格，因为制造普通SDRAM的设备只需稍作改进就能进行DDR内存的生产，而且它也不存在专利等方面的问题，所以它代表着未来能与Rambus相抗衡的内存发展的一个方向。
接口动态随机存储器（Direct Rambus DRAM, DRDRAM）：是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。它具有相对SDRAM较高的工作频率（不低于300MHz），但其数据通道接口带宽较低，只有16位，当工作时钟为300MHz时，Rambus利用时钟的上沿和下沿分别传输数据，因此它的数据传输率能达到300×16×2/8=1.2GB/s，若是两个通道，就是2.4GB/s。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令变化，同一组引脚线既可以被定义成地址线也可以被定义成控制线。其引脚数仅为普通DRAM的三分之一。
虚拟通道存储器（Virtual Channel Memory, VCM），是目前大多数最新的主板芯片组都支持的一种内存标准，VCM是由NEC公司开发的一种的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。VCM与SDRAM的差别在于不管数据是否经过CPU处理都可以先行交于VCM进行处理，而普通的SDRAM就只能处理经CPU处理以后的数据，这就是为什么VCM要比SDRAM处理数据的速度快20%以上的原因。
CL（CAS Latency）：为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CAS Latency = 2或3的模式下，也就是说，这时它们读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期或3个时钟周期。
tCK（TCLK）：为系统时钟周期，它代表SDRAM所能运行的最大频率。数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。
tAC（Access time from CLK）：是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，PC 100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns。某些内存编号的位数表示的是这个值。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为5、6、7、8或10ns。
对于PC 100内存来说，要求当CL=3的时候，tCK的数值要小于10ns、tAC要小于6ns。关于总延迟时间的计算一般用这个公式: 总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC），比如某PC 100内存的存取时间为6ns，我们设定CL模式数为2（即CAS Latency=2），则总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，这就是评价内存性能高低的重要数值。如果PC 100、PC 133内存只使用在66MHz或100MHz总线下，应该将CAS Latency的数值设为2，这样内存无疑会有更好的性能