内存厂商代号hy表示的是一（内存芯片的代表类型）

本文目录

• 内存芯片的代表类型
• 看看我的内存究竟是什么牌子
• 海力士内存怎么样
• 怎么看内存的型号
• 如何看内存颗粒识内存大小
• 内存的识别
• HY5DU56822BT-D43这种型号内存条是代表意思是什么

内存芯片的代表类型

Hynix(Hyundai)现代
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A
I
nfineon（亿恒）
Infineon（亿恒）
Infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如：
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
Micron（美光）
Micron（美光）
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
Winbond（华邦）
含义说明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM?
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

看看我的内存究竟是什么牌子

威刚内存现代内存颗粒
256M 333
第1行
第1行是内存颗粒的生产厂家和产地，“HYUNDAI”表示现代公司，“KOREA”为韩国;
第2行
①→此处为内存颗粒的生产厂家，“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。注:原先的7J、7K和75的现代内存颗粒是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）;
②→此处表示内存的类型，“72”、“57”均表示该内存为SDRAM。“5D”为DDR SDRAM;
③→此处为内存的额定工作电压，“V”表示3.3V电压;
④→此处为内存的内存颗粒的容量和刷新，其中16为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、4K刷新;“64”为64Mbit、8K刷新;“66”为64Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit，8K刷新;
⑤→此处为内存的数据带宽，它表示内存颗粒的数据位宽。“4”为4bit，“8”为8bit，“16”为16bit，“32”为32bit;
⑥→此处为内存的芯片组成，“1”为1Bank，“2”为2Bank，“4”为4Bank;
⑦→此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3;
⑧→此处为内存的内核代号;
⑨→此处表示内存的功耗，空白时为普通功耗，“L”为低功耗，此处为空白;
⑩→此处表示内存的封装形式，“T”=TSOP，“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP;
→这里表示的就是内存的工作速度，其中“75”为7.5ns（133MHz）、“7K”为10ns（PC100、CL为2、3）、“7J”为10ns（PC100、CL3）、“10K”为10ns（PC66）;在某些使用现代颗粒的显存中，6为6ns（166MHz）、65为6.5ns（153MHz）、7为7ns（143MHz）、75为7.5ns（133MHz）、8为8ns（125MHz）;
需要注意的是，现在市场上出现的现代内存，T-H内存颗粒是原来75的替代型，速度为PC133;而T-P内存颗粒则是原来7J、7K的替换型，速度为PC100。
第3行
表示该内存的生产日期，如“0024”就是2000年的第24周生产的。
现代内存的特点主要是价格便宜，兼容性好。但是其速度不高，一般7J、7K的现代内存条只能在100MHz CL3下工作，而75和T-H的现代内存条相对要好些，它能在133MHz CL3下工作，但在CL为2时仍无法正常工作。

海力士内存怎么样

海力士内存就是韩国现代内存 Hynix , 目前也属于全球前五大内存厂商，产品在品质，可靠性等方面在三星，MT,ELPIDA 之下，但还是很不错的。

海力士内存条评测：

Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的 现代 内存,2001年更名为海力士.代表理事：权吾哲(???)。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购 LG 半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

1. 海力士2GB DDR4 2400

海力士2GB DDR4 2400是一条台式机专用内存条，内存容量为2G，内存类型为在传输速率上有着不错表现的DDR4，在应用过程中能获得比DDR3更加快的体验。另外内存主频达到了2400MHz，较为我们常见的1600MHz来说，处理更为迅速。针脚数为240pin，插槽是DIMM的，工作电压为1.2V，如果要自行diy的朋友可要注意这些数据，以防买来了不适用。

2.海力士2GB DDR3 1066

海力士2GB DDR3 1066是一款用于笔记本上的内存条，内存容量为市面上常见的2G，内存为DDR3的类型，一个主流的内存条。内存主频为1066MHz，比较一般，传输标准上采用的是PC3-8500的协议来进行数据的传输，针脚为204pin。参数上可圈可点。

3.海力士128MB SDRAM PC133(4片)

海力士128MB SDRAM PC133(4片)是一条台式机内存条，不过这个条子有一定的年龄了，128MB的内存容量已经不能满足现代人们的需求了，但是在那个技术还相对落后的年代里，内存是海力士的天下，在市场上销售火爆，以至于有许多冒牌假条以海力士的商标到处造谣撞骗。

怎么看内存的型号

用一些软件可以看出。。或者直接看内存条
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存扮汪芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：
现代电子HYUNDAI：HY〔注：代号〕
三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB
高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士李高通FUJITSU：MB
摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM
美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD或TC
日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD
IBM：BM NPNX：NN
一.日本产系列：
主要厂家有Hitachi〔日立〕，Toshiba〔东芝〕，NEC〔日电〕，Mitsubishi〔三菱〕等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI〔日立〕。
日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：
75：7.5ns〔133MHz〕
80：8ns〔125MHz〕
A60：10ns〔PC-100 CL2或3〕
B60：10ns〔PC-100 CL3〕
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的厅扰仔SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns〔125MHz〕
10：10ns〔PC100 CL 3〕
10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
70：〔PC133〕
75：〔PC133〕
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns〔133MHz〕
80：8ns〔125MHz〕
10：10ns〔100MHz CL=3〕
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
二.韩国产系列：
韩国现在的SEC三星和HY（现代，它还将LGS给兼并了）占据了世界内存产量的多半份额，韩国产晶圆的特点是质量比较稳定，价格也较合理。
1.SEC〔Samsung Electronics〕三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式：
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的"S"代表普通的SDRAM，如为"H"，则为DDR SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3为难个Bank。
"0"后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版本，在表面上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流，"F"需要的电流较"G"小，相当于一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度：
7：7ns〔143MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
H：10ns〔PC100 CL2或3〕
L：10ns〔PC100 CL3〕
10：10ns〔100MHz〕
例如：KM416S4031BT-GH，是64Mbit〔16*4〕，16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。
三星公布的标准PC133芯片：
Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100 SDRAM的编号应是ATC 10或BTC，没有A的或B的，就不是PC 100内存。经测试，发现HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行，但可超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的，66841ET7K为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压，空白为5V，"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下：
16：16Mbits，4K Ref。
64：64Mbits，8K Ref。
65：64Mbits，4K Ref。
128：128Mbits，8K Ref。
129：128Mbits，4K Ref。
256：256Mbits，16K Ref。
257：256Mbits，8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0，代表LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式，分别如下：
JC：400mil SOJ
TC：400mil TSOP-II
TD：13mm TSOP-II
TG：16mm TSOP-II
最后几位为速度：
7：7ns〔143MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
10p：10ns〔PC-100 CL2或3〕
10s：10ns〔PC-100 CL3〕
10：10ns〔100MHz〕
12：12ns〔83MHz〕
15：15ns〔66MHz〕
例如：常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是-10K不是PC100的产品，-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS〔LG Semicon〕
LGs早已被HY现代纳入麾下，但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的，速度极慢。7J和7K才是PC 100的SDRAM，7J和7K工作模式的速度参数不同，LGs 7J编号在1073222，LGs 7K编号是1072222，两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC 100内存，但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存，速度比7J和7K差很远，但因外型相差不大，所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过测试比较，7K比7J的更优秀，上133MHz时7K比7J更稳定，但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits，66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。
第5个X代表Bank，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。
第6个X表示是第几人版本的内核，现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L"，就是低功耗，空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP封装出现，为"I"。
最后的XX自然是代表速度：
7.5：7.5ns〔133MHz〕
8：8ns〔125MHz〕
7K：10ns〔PC-100 CL2或3〕
7J：10ns〔100MHz〕
10K：10ns〔100MHz〕
12：12ns〔83MHz〕
15：15ns〔66MHz〕
例如：GM72V661641CT7K，这是64Mbit，16位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。
三.欧美生产系列及其它：
在欧美内存厂商中Micron，IBM，SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾省的厂家这几年来进步也很神速，如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生产规模和技术上已经赶韩超美了，国产的晶圆的质量不错，价格也很便宜。
1.Micron。
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式：
MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表Write Recovery〔Twr〕，如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度：
7：7ns〔143MHz〕
75：7.5ns〔133MHz〕
8X：8ns〔125MHz〕
其中X为A~E，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为：3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10：10ns〔100MHz CL3〕
速度后如有L则为低耗。
2.IBM。
PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。
第5个X意义不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗，C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度：
68： 6.8ns〔147MHz〕
75A: 7.5NS〔133MHz〕
260或222：10ns〔PC100 CL2或3〕
360或322：10ns〔PC100 CL3〕在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。
10：10NS〔100MHz〕
例如：IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。
3.SIEMENS〔西门子〕
芯片标识：HYB39S xx xx0 x T x -xx
前两个xx为容量,最后两位xx是速度：
6—166MHz
7—143MHz
7.5—133MHz
8—125MHz
8B—100MHz〔CL3〕
10—100MHz〔PC66规格

如何看内存颗粒识内存大小

比方：内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43
这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：
·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
里面有更详细更全面的介绍，你看看
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内存的识别

不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：
DDR SDRAM：
HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：
HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14
整个DDR
SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &
VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M
8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10．
封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11．
封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400
3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的羡碰实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR
SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）
注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的
LGS的内存可以说是目前市场上歼改见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。
LGS的内存编码规则：
GM 72 X XX XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、兄改谈GM代表LGS公司。
2、72代表SDRAM。
3、V代表3V电压。
4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。
5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK
7、I／O界面：一般为1
8、产品系列：从A至F。
9、功耗：空白则是普通，L是低功
10、封装模式：一般为T（TSOP）
11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K（10NS，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）
二、HY（现代HYUNDAI）
现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。
HY的编码规则：
HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
定义：
1、HY代表现代。
2、一般是57，代表SDRAM。
3、工艺：空白则是5V，V是3V。
4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。
5、数据带宽：40：4位，80：8位，16：16位，32：32位。
6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；
7、I／O界面：一般为0
8、产品线：从A－D系列
9、功率：空白则为普通，L为低功耗。
10、封装：一般为TC（TSOP）
11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS
三、SEC（三星SAMSUNG）
做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。
SEC编码规则：
KM4 XX S XX 0 X X XT－XX
1 2 3 4 5 6 7 89 10 11
1、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。
2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。
3、一般均为S
4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。
5、一般均为0
6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK
7、I／O界面：一般为0
8、版本号
9、封装模式：一般为T：TSOP
10、功耗：F低耗，G普通
11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。
四、MT（MICRON美凯龙）
美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。
MT48 XX XX M XX AX TG－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、MT代表美凯龙MICRON
2、48代表SDRAM。
3、一般为LC：普通SDRAM
4、此数与M后位数相乘即为容量。
5、一般为M
6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位
7、AX代表write Recovery(twr)，A2则代表twr=2clk
8、TG代表TSOP封装模式。
9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS
10、如有L则为低功耗，空白则为普通。
五、HITACHI（日立HITACHI）
日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！
HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HM代表日立。
2、52代表SDRAM，51则为EDO
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为5
6、产品系列：A－F
7、功耗：L为低耗，空白则为普通
8、TT为TSOP封装模式
9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3）
六、SIEMENS（西门子）
西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。
HYB39S XX XX 0 X T X －X
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、HYB代表西门子
2、39S代表SDRAM
3、容量
4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位
5、一般为0
6、产品系列
7、一般为T
8、L为低耗，空白为普通
9、速度：
6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS
七、FUJITSU（富士通FUJITSU）
富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。
MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN
1 2 3 4 5 6 7 8 9
1、MB81代表富士通的SDRAM
2、PC100标准的多为F，普通的内存为1
3、容量
4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位
5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK
6、产品系列
7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS
八、TOSHIBA（东芝）
东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。
TC59S XX XX X FT X－XX
1 2 3 4 5 6 7 8
1、TC代表东芝
2、59S代表普通SDRAM
3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT
4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位
5、产品系列：A－B
6、FT为TSOP封装模式
7、空白为普通，L为低功耗
8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3）
九、MITSUBISHI（三菱）
三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PII／PIIICPU的缓存供应商。普通SDRAM方面，因为较贵，所以市场上少见。
M2 V XX S X 0 X TP－XX X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、M2代表三菱产品
2、I／O界面。一般为V
3、容量
4、一般为S，说明是SDRAM
5、位宽：2：4位，3：8位，4：16位
6、一般为0
7、产品系列
8、TP代表TSOP封装
9、速度：
8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。
10、空白为普通，L为低耗。

HY5DU56822BT-D43这种型号内存条是代表意思是什么

HY5DU56822BT-D43这串编号意义：
·“HY”是现代内存。
·“5D”是内存芯片类型为DDR。
·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。
·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。
·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。
·“2”指内存的bank(储蓄位)。
·“2”代表接口类型为SSTL_2。
·“B”是内核代号为第3代。
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。
·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。
·“D43”表示内存的速度为DDR400。